КОНТАКТНО-БАРЬЕРНЫЕ СЛОИ С ТИТАНОМ В ТЕХНОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ

<jats:p>В работе рассматриваются эффекты, возникающие в тонкопленочных системах при формировании контактно-барьерных слоев с титаном в технологиях изготовления полупроводниковых приборов на основе кремния. Композитный барьерный спой TiN-TiSi2 формировали напылением чистого Ti с последующим напылением Ti в присутствии и термообработкой при 900°С в течение 30 мин. Барьерные слои формировали в пределах контактных окон структур приборов. Деградация р-n переходов обнаруживалась лишь после термообработки при 600°С. Показано, что для ряда контактно-металлизационных систем, использующих Ti, наибольшей термостабильностью характеризуются системы с барьерным слоем TiN: они предупреждают деградацию контактов при температуре 550°С. При этом применение Ti обеспечивает низкие значения переходного сопротивления контактов.</jats:p> <jats:p>This paper examines the effects that arise in thin-film systems during the formation of contact barrier layers with titanium in silicon-based semiconductor device manufacturing technologies. A TiN-TiSi2 composite barrier alloy was formed by sputtering pure Ti, followed by sputtering Ti in the presence of Ti and heat treatment at 900°C for 30 min. Barrier layers were formed within the contact windows of the device structures. Degradation of p-n junctions was detected only after heat treatment at 600°C. It is shown that for a number of contact metallization systems using Ti, systems with a TiN barrier layer exhibit the greatest thermal stability: they prevent contact degradation at a temperature of 550°C. Furthermore, the use of Ti ensures low contact resistance values.</jats:p>