Abstract
<jats:p>Розглядом скейлінгових співвідношень у вимірюванні протяжності неоднорідної множини розглянуто поляризованість фрактальної структури, введено поняття електричного дробово-інтегрального моменту для моделювання двопортового напівпровідниковий елемент, у якому кристалічний основний матеріал легується домішками для створення двох окремих областей з легованими негативними і позитивними носіями зарядів. Визначено протяжність фрактально конфігурованої ширини переходу діода, яку узгоджено з розподілом заряду на геометричному носієві і визначено міру засобами дробового (диферінтегрального) числення. Отримано формулу для визначення ширини збідненої області у залежності від концентрації домішок легування, діелектричної проникності матеріалу і вбудованої напруги на фрактально конфігурованому переході.</jats:p>