Abstract
<jats:p>Дослiджувались свiтлодiоди (СД) GaAs1−xPx, вирощенi на основi розчину непрямозонного GaP та прямозонного GaAs, додатково легованим азотом. Показано, що контури спектральних лiнiй при T=77 K добре узгоджуються з класичними розподiлами Гауса i Лоренца. Виявлено ефект самопоглинання квантiв, який проявляється зменшенням iнтенсивностi випромiнювання низькоенергетичної половини спектральної лiнiї СД GaAsP вiдносно її високоенергетичної частини. Змiна напiвширини спектру «жовтих» СД при нагрiваннi зразка вiд 300 K до 77 K (Γ77 К = 8 нм, Γ300 К = 14 нм) — наслiдок збiльшення концентрацiї фононного газу. Зростання струму через дiод вiд 5 мА до 60 мА супроводжується зсувом максимуму свiчення у бiк довгих хвиль на ∆λ = 4 нм при 300 К, зумовленим тепловою дiєю струму; величина зсуву при 77 K становить ∆λ = 2 нм.</jats:p>