Испускание фотонов при неупругом захвате релятивистских заряженных частиц в режим каналирования

<jats:p>В работе исследуется электромагнитное излучение, возникающее при захвате быстрого релятивистского электрона (позитрона) в режим каналирования на влете в кристалл. Получены общие выражения, определяющие вероятности испускания фотона при неупругой перестройке волновой функции свободного релятивистского электрона в суперпозицию квантовых состояний каналированного типа. Для количественной оценки интенсивности и спектральных характеристик возникающего излучения используется классическое приближение и подход, основанный на исследовании кинематики этого квантового процесса. Показано, что интенсивность возникающего переходного излучения не зависит от толщины кристалла и для тонких кристаллических мишеней должна преобладать над излучением, порождаемым переходами между квантовыми состояниями каналированного движения. Показано также, что по частотным характеристикам излучение, возникающие при пересечении ультрарелятивистской частицей границы кристалла, имеет характерные частоты большие, чем излучение при переходах между квази-связанными каналированными состояниями внутри кристалла.</jats:p>