ЭФФЕКТИВНОСТЬ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫМИ НАРУШЕНИЯМИ, ОБРАЗОВАННЫМИ АТОМАМИ ОТДАЧИ

<jats:p>В работе исследуется эффективность геттерирования ионов Аr, O, Si и Хе, имплантированных в Si через слой SiO2 . Эффективность геттерирования имплантированных ионов оценивалась по времени восстановления емкости МОП-структур. Критическая доза геттерирования снижается в образцах, содержащих радиационные нарушения кристаллической решетки Si, возникающие в результате имплантации ионов через слой SiO2 , покрывающий поверхность Si. Показано, что в результате ионной имплантации в кремнии через слой окиси кремния формируются эффективные стоки примесей. Эффективность геттерирования в основном определяется радиационными нарушениями, образованными атомами отдачи, причем эта эффективность является максимальной для ионов Аr по сравнению с ионами О, Si и Хе.</jats:p> <jats:p>This paper examines the gettering efficiency of Ar, O, Si, and Xe ions implanted into Si through a SiO2 layer. The gettering efficiency of implanted ions was estimated based on the capacitance recovery time of MOS structures. The critical gettering dose is reduced in samples containing radiation-induced lattice damage to Si, which occurs as a result of ion implantation through the SiO2 layer covering the Si surface. It is shown that ion implantation in silicon creates effective impurity sinks through the silicon oxide layer. The gettering efficiency is primarily determined by radiation-induced damage caused by recoil atoms, with the efficiency being highest for Ar ions compared to O, Si, and Xe ions.</jats:p> <jats:p>Gettering, radiation damage, silicon, silicon oxide, MOS structures, ion implantation.</jats:p>